[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810581546.9 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108565287B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 宋洋;王昌锋;廖端泉 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。根据本发明所提供的制造方法所制造的半导体结构包括衬底和形成在所述衬底上的栅极，所述栅极两侧的所述衬底上形成有硅外延层；所述栅极的侧表面具有第一侧墙，所述第一侧墙与所述硅外延层之间具有间隙，所述第一侧墙表面还包括第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述间隙，使所述第一侧墙与所述硅外延层之间具有气隙。本发明所提供半导体结构及其制造方法降低了栅极侧墙的介电常数，从而有效降低器件的寄生电容，减小相应的电阻电容延迟时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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