[发明专利]硅烷氨基化修饰的长余辉纳米材料及其制备方法、Lp-PLA2检测试剂及其制备方法有效
| 申请号： | 201810581645.7 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108865110B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郭栋才;杜红丽;栾芳菲 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | G01N33/533 | 分类号： | G01N33/533;C09K11/02;C09K11/62;G01N33/573 |
| 代理公司： | 常州智慧腾达专利代理事务所(普通合伙) 32328 | 代理人： | 曹军 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明涉及Lp‑PLA2因子的检测，具体涉及硅烷氨基化修饰的长余辉纳米材料及其制备方法、Lp‑PLA2检测试剂及其制备方法。本发明的硅烷氨基化修饰的长余辉纳米材料的制备方法，包括以下步骤：将Ga(NO |
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| 搜索关键词： | 硅烷 氨基化 修饰 余辉 纳米 材料 及其 制备 方法 lp pla2 检测 试剂 | ||
【主权项】：
1.硅烷氨基化修饰的长余辉纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将Ga(NO3)3溶液、Cr(NO3)3溶液、Eu(NO3)3溶液、Zn(NO3)2溶液、柠檬酸溶液混匀，调节pH为8～9，反应20～40min之后升温至70～80℃并反应2～4h，然后升温至90～100℃继续反应2～4h，干燥，之后于950～1050℃煅烧2～4h，得ZnGa2O4:Cr/Eu长余辉纳米材料；2)取步骤1)所得的ZnGa2O4:Cr/Eu长余辉纳米材料与NaOH溶液混合研磨20～40min，之后再加入NaOH溶液反应过夜，取上层悬浮液离心纯化，将离心后的沉淀分散于水中，得NPLNPs‑OH水溶液；3)取NPLNPs‑OH水溶液与DMF、氨丙基三乙氧基硅烷混合，反应过夜，离心，所得沉淀即为硅烷氨基化修饰的长余辉纳米材料。
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