[发明专利]一种激光退火装置和方法有效
申请号: | 201810582217.6 | 申请日: | 2018-06-07 |
公开(公告)号: | CN108878317B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 王天;赖善春;刘成;王燕锋;崔永鑫 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本申请公开了一种激光退火装置和方法,该装置包括:腔室、镜片、移动结构以及固定结构,其中:腔室设置有开口;固定结构位于开口的边缘,且固定在腔室上;镜片固定在移动结构上,且位于开口上方;移动结构固定在固定结构上,且移动结构与固定结构的固定位置可调,使得镜片相对于开口的位置可调。在对玻璃基板上的非晶硅膜层进行激光退火时,如果激光透过镜片的位置处产生痕迹或损坏,那么,可以通过改变移动结构与固定结构的固定位置,改变镜片的位置,使得激光可以透过镜片中没有被破坏的部分,这样,在保证照射至非晶硅膜层上激光的均匀性,进而保证激光退火工艺效果的情况下,可以无需更换镜片,相较于现有技术,可以增加镜片的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光退火装置,其特征在于,包括:腔室、镜片、移动结构以及固定结构,其中:所述腔室设置有开口;所述固定结构位于所述开口的边缘,且固定在所述腔室上;所述镜片固定在所述移动结构上,且位于所述开口上方;所述移动结构固定在所述固定结构上,且所述移动结构与所述固定结构的固定位置可调,使得所述镜片相对于所述开口的位置可调。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造