[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810582240.5 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110581172B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面具有鳍部结构，鳍部结构沿鳍部结构高度方向上包括掺杂区，掺杂区鳍部结构包括多层堆叠的鳍部单元，鳍部单元包括第一鳍部和位于第一鳍部顶部的第二鳍部，第一鳍部和第二鳍部的材料不同，横跨鳍部结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧的掺杂区鳍部结构内形成源漏开口；去除所述源漏开口侧壁的部分第一鳍部，在相邻第二鳍部之间形成第一开口；在第一开口内形成掺杂层，掺杂层内具有掺杂离子；进行退火处理，使掺杂离子进入第二鳍部内。所述方法形成的半导体器件性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底表面具有鳍部结构，所述鳍部结构沿鳍部结构高度方向上包括掺杂区，所述掺杂区的鳍部结构包括多层堆叠的鳍部单元，所述鳍部单元包括第一鳍部和位于第一鳍部顶部的第二鳍部，所述第一鳍部和第二鳍部的材料不同，横跨鳍部结构的伪栅结构；/n在所述伪栅结构两侧的掺杂区鳍部结构内形成源漏开口；/n去除所述源漏开口侧壁的部分第一鳍部，在相邻第二鳍部之间形成第一开口；/n在所述第一开口内形成掺杂层，所述掺杂层内具有掺杂离子；/n进行退火处理，使掺杂离子进入第二鳍部内，在第二鳍部内形成轻掺杂区。/n
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