[发明专利]一种叠层栅钙钛矿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种叠层栅钙钛矿场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底表面溅射ITO薄膜形成栅电极层；在栅电极层及Si衬底上溅射HfO₂材料形成第一绝缘栅介质层；在第一绝缘栅介质层上旋涂PMMA材料形成第二绝缘栅介质层；在第二绝缘栅介质层上旋涂钙钛矿材料形成半导体层；在半导体层上溅射Au材料形成源极层和漏极层，并最终形成叠层栅钙钛矿场效应晶体管。本发明实施例的叠层栅结构，减少了栅极漏电流，扩大了器件的应用范围，改善了器件的功率特性，提高了器件的可靠性；高介电常数材料，如HfO₂，能提供高的单位电容值，增强栅电容对沟道电子的控制能力，提高了隧道击穿栅节点的电流和器件的工作电压。

主权项

1.一种叠层栅钙钛矿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取Si衬底；S2、在所述Si衬底表面溅射ITO薄膜形成栅电极层；S3、在所述栅电极层及所述Si衬底上溅射HfO2材料形成第一绝缘栅介质层；S4、在所述第一绝缘栅介质层上旋涂PMMA材料形成第二绝缘栅介质层；S5、在所述第二绝缘栅介质层上旋涂钙钛矿材料形成半导体层；S6、在所述半导体层上溅射Au材料形成源极层和漏极层，并最终形成叠层栅钙钛矿场效应晶体管。