[发明专利]渐变Al组分AlGaN/GaN肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810583485.X | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108520899A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;王学炜;郝跃;张进成;毕臻;艾丽霞;李文;吕玲 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/205;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种渐变Al组分AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：衬底、重掺杂n型非极性GaN外延层和轻掺杂n型AlGaN层，且重掺杂n型非极性GaN外延层上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极，轻掺杂n型渐变Al组分AlGaN层上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极，其特征在于，轻掺杂n型AlGaN层中的Al组分是由下到上从0.01至1非线性变化。本发明提高了肖特基二极管异质结处二维电子气的浓度，从而提高了器件的速度，可用作高频、低压、大电流整流二极管或小信号检波二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 轻掺杂 渐变 二维电子气 非极性 异质结 重掺杂 制备 大电流整流二极管 肖特基势垒二极管 欧姆接触电极 金属 非线性变化 肖特基接触 二极管 信号检波 电极 衬底 可用 | ||
【主权项】：
1.一种渐变Al组分AlGaN/GaN肖特基二极管，其自下而上包括：衬底(1)、重掺杂n型非极性GaN外延层(2)和轻掺杂n型AlGaN层(3)，且重掺杂n型非极性GaN外延层(2)上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极(4)，轻掺杂n型渐变Al组分AlGaN层(3)上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极(5)，其特征在于，轻掺杂n型AlGaN层(3)中的Al组分是由下到上从0.01至1非线性变化。
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