[发明专利]一种背光照混成芯片增透膜生长方法及装置在审

专利信息
申请号: 201810584321.9 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN108962925A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 宁提;吴立明;祁娇娇;王玉龙 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 于金平
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种背光照混成芯片增透膜生长方法及装置,本发明通过将红外焦平面混成芯片封装于样品盘内,在样品盘背面放置导热垫片,从而提高样品盘与冷却工件盘的热传导效率,并通过快速热传导减小混成芯片背增透膜层生长时的温度积累,降低生长温度,避免混成芯片因温度过高导致性能劣化甚至失效,而且,本发明通过采用遮挡片的设计可以在背增透膜层生长时形成有效遮挡,在保证芯片镀膜的同时防止胶水及读出电路表面被镀膜。
搜索关键词: 芯片 生长 样品盘 增透膜层 增透膜 镀膜 光照 红外焦平面 快速热传导 热传导效率 导热垫片 读出电路 冷却工件 温度过高 温度积累 芯片封装 性能劣化 胶水 遮挡片 减小 遮挡 背面 保证
【主权项】:
1.一种背光照混成芯片增透膜生长方法,其特征在于,包括:将红外焦平面混成芯片的感光面向上封装于样品盘内,并在所述样品盘背面设置导热垫片,通过所述导热垫片使得所述样品盘与冷却工件盘紧密贴合;在所述红外焦平面混成芯片上设置遮挡片,所述遮挡片为方形的中空结构,通过所述遮挡片的中空结构将所述红外焦平面混成芯片的红外感光阵列露出,并将所述红外焦平面混成芯片的电路及胶水部分进行遮挡;进行所述红外焦平面混成芯片背面增透膜层生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所,未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810584321.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top