[发明专利]一种背光照混成芯片增透膜生长方法及装置在审
申请号: | 201810584321.9 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108962925A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 宁提;吴立明;祁娇娇;王玉龙 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 于金平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种背光照混成芯片增透膜生长方法及装置,本发明通过将红外焦平面混成芯片封装于样品盘内,在样品盘背面放置导热垫片,从而提高样品盘与冷却工件盘的热传导效率,并通过快速热传导减小混成芯片背增透膜层生长时的温度积累,降低生长温度,避免混成芯片因温度过高导致性能劣化甚至失效,而且,本发明通过采用遮挡片的设计可以在背增透膜层生长时形成有效遮挡,在保证芯片镀膜的同时防止胶水及读出电路表面被镀膜。 | ||
搜索关键词: | 芯片 生长 样品盘 增透膜层 增透膜 镀膜 光照 红外焦平面 快速热传导 热传导效率 导热垫片 读出电路 冷却工件 温度过高 温度积累 芯片封装 性能劣化 胶水 遮挡片 减小 遮挡 背面 保证 | ||
【主权项】:
1.一种背光照混成芯片增透膜生长方法,其特征在于,包括:将红外焦平面混成芯片的感光面向上封装于样品盘内,并在所述样品盘背面设置导热垫片,通过所述导热垫片使得所述样品盘与冷却工件盘紧密贴合;在所述红外焦平面混成芯片上设置遮挡片,所述遮挡片为方形的中空结构,通过所述遮挡片的中空结构将所述红外焦平面混成芯片的红外感光阵列露出,并将所述红外焦平面混成芯片的电路及胶水部分进行遮挡;进行所述红外焦平面混成芯片背面增透膜层生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的