[发明专利]通过脉冲低频射频功率获得高选择性和低应力碳硬膜

摘要

提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性、低应力的可灰化硬膜的方法。在某些实施方式中，所述方法涉及在使用双射频等离子体源沉积可灰化硬膜期间在保持高频射频功率恒定的同时使低频射频功率脉动。根据各种实施方式，低频射频功率可以在非零水平之间脉动或者通过开启和关闭低频射频功率而脉动。所得的沉积的高选择性可灰化硬膜由于一个或多个因素可以具有减小的应力，这些因素包括在可灰化硬膜上减少的离子和原子轰击以及陷入可灰化硬膜中更低水平的氢。

主权项

1.一种形成可灰化硬膜的方法，包括：使半导体衬底暴露于包括碳氢化合物前体气体的工艺气体；并且通过使用等离子体的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述衬底上沉积可灰化硬膜，所述等离子体是由包括高频(HF)成分和低频(LF)成分的双射频(RF)等离子体源产生的，其中在沉积期间，高频功率在低频功率脉动时恒定。