[发明专利]包括沟槽隔离的半导体装置有效
| 申请号： | 201810585622.3 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037143B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 彼特·巴尔斯;宽特·葛斯荷夫;R·许泽利茨 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括沟槽隔离的半导体装置，提供一种制造半导体装置的沟槽隔离的方法，包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，其包括半导体块体衬底、形成于该半导体块体衬底上的埋置氧化物层、以及形成于该埋置氧化物层上的半导体层；形成穿过该半导体层并至少部分延伸至该埋置氧化物层中的沟槽；在该沟槽的侧壁形成衬里；将该沟槽加深至该半导体块体衬底中；用可流动介电材料填充该加深的沟槽；以及执行该可流动介电材料的退火。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 隔离 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的沟槽隔离的方法，包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，其包括半导体块体衬底、形成于该半导体块体衬底上的埋置氧化物层、以及形成于该埋置氧化物层上的半导体层；形成穿过该半导体层并至少部分延伸至该埋置氧化物层中的沟槽；在该沟槽的侧壁形成衬里；将该沟槽加深至该半导体块体衬底中；用可流动介电材料填充该加深的沟槽；以及执行该可流动介电材料的退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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