[发明专利]一种光子频率上转换器件及其生长方法在审
| 申请号： | 201810585764.X | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110581123A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张月蘅;白鹏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L31/0304;H01L31/101;H01L31/18;H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 31260 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型光子频率上转换器件与方法，所述器件包括近红外光电探测器(1)、发光二极管(2)和渐变层(3)，所述渐变层(3)位于近红外光电探测器(1)和发光二极管(2)之间；所述渐变层(3)用于克服所述近红外光电探测器(1)和所述发光二极管(2)之间晶格失配的影响；所述方法可以一次性直接外业生长得到整个光子频率双转换器件，无需晶片键合步骤，使所述光子上转换器件结构紧凑，大大简化了制备工艺，降低了成本，提高了上转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 近红外光电探测器 发光二极管 渐变层 上转换 光子频率 晶格失配 晶片键合 器件结构 制备工艺 转换器件 一次性 光子 外业 紧凑 生长 | ||
【主权项】：
1.一种光子频率上转换器件，其特征在于，包括近红外光电探测器(1)、发光二极管(2)和渐变层(3)，所述渐变层(3)位于近红外光电探测器(1)和发光二极管(2)之间。/n
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