[发明专利]一种硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅太阳能电池及其制备方法，所述硅太阳能电池从下至上包括背面电极、背面钝化层、N型单晶硅片、硅纳米线阵列、上表面钝化层、Spiro‑OMeTAD/酞菁铜复合层、PEDOT:PSS层以及正面栅电极，所述PEDOT:PSS层含有镁元素，通过优化硅太阳能电池结构以及各层的具体工艺参数，使得本发明的硅太阳能电池具有优异的光电转换效率。

主权项

1.一种硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)N型硅片的清洗；2)在N型硅片的表面制备硅纳米线阵列；3)对所述步骤2得到的N型硅片进行甲基化处理；4)接着在所述N型硅片的上表面旋涂含有乙基乙酰乙酸二异丙醇铝和异丙醇铪的有机溶液，并进行热处理，进一步钝化所述N型硅片的上表面；5)Spiro‑OMeTAD/酞菁铜复合层的制备：在所述步骤4得到的N型硅片的正面依次旋涂Spiro‑OMeTAD溶液、热蒸发酞菁铜、旋涂Spiro‑OMeTAD溶液、热蒸发酞菁铜、旋涂Spiro‑OMeTAD溶液、热蒸发酞菁铜，接着进行第一次退火处理，以形成所述Spiro‑OMeTAD/酞菁铜复合层；6)PEDOT:PSS层的制备：在PEDOT:PSS水溶液中添加一定量的氯化镁，以形成PEDOT:PSS混合溶液，在所述步骤5得到的N型硅片的正面旋涂所述PEDOT:PSS混合溶液，并进行第二次退火处理，以形成所述PEDOT:PSS改性层；7)在所述步骤6得到的N型硅片的背面利用原子层沉积法制备一氧化铝薄层，其中，沉积氧化铝的速率均为1‑2埃米/周期，沉积的周期数为3‑5；8)正面栅电极的制备；9)背面电极的制备。