[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201810587096.4 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108807529A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨秋旻;张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张素红 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层，在所述衬底层上依次逐层生长GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs超晶格层、未掺杂的AlGaAs层、第一掺杂层、第一AlGaAs隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二掺杂层、AlGaAs势垒层、掺杂帽层，InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层、第二InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层，第一InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层中的In组分均小于第二InGaAs沟道层中的In组分。本发明能够减少电子迁移率受界面散射的影响和降低中间InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。本发明还提供了一种具有上述外延材料的赝配高电子迁移率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 赝配高电子迁移率晶体管 外延材料 掺杂层 衬底层 隔离层 电子迁移率 超晶格层 晶格失配 晶体缺陷 半绝缘 势垒层 未掺杂 散射 生长 帽层 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层(1)，在所述衬底层(1)上依次逐层生长GaAs缓冲层(2)、AlGaAs/GaAs超晶格层(3)、未掺杂的AlGaAs层(4)、第一掺杂层(5)、第一AlGaAs隔离层(6)、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层(10)、第二掺杂层(11)、AlGaAs势垒层(12)、掺杂帽层(13)，其特征在于，所述InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层(7)、第二InGaAs沟道层(8)和第三InGaAs沟道层(9)，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)中的In组分均小于所述第二InGaAs沟道层(8)中的In组分。
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