[发明专利]晶圆上多个对准标记的集中放置和光刻位置的确定方法有效
| 申请号： | 201810588302.3 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108803264B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆上多个对准标记集中放置和光刻位置的确定方法，该方法包括：提供多片具有一个对准标记的晶圆；在光刻机中建立待执行的曝光文件；使每片晶圆运动到光刻机的曝光台；计算每片晶圆对准信号中心与预设对准标记坐标位置的偏差距离；以多片晶圆中对准信号中心与预设对准标记坐标位置的最大偏差距离为基准，在晶圆上具有多个对准标记集中放置时，将相邻对准标记之间的间距按照大于2倍的最大偏差距离的关系设置。本发明具有解决晶圆上集中放置多个光刻对准标记时导致错误位置识别和错误位置对准的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆上多个 对准 标记 集中 放置 光刻 位置 确定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆上多个对准标记的集中放置方法，其特征在于，包括以下步骤：提供多片具有一个对准标记的晶圆；在光刻机中建立待执行的曝光文件；根据曝光文件中晶圆的预设对准标记坐标位置使每片晶圆运动到光刻机的曝光台；光刻机根据每片晶圆的对准标记生成相应的对准信号；计算每片晶圆对准信号中心与预设对准标记坐标位置的偏差距离；以多片晶圆中对准信号中心与预设对准标记坐标位置的最大偏差距离为基准，在晶圆上具有多个对准标记集中放置时，将相邻对准标记之间的间距按照大于2倍的最大偏差距离的关系设置。
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