[发明专利]NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810588308.0 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108511529B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种全隔离型的NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法，该方法包括对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，形成P型阱区和N型阱区，形成N型漏极漂移区和P型漏极漂移区，形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构，形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构，位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度大于位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度，在场效应氧化层之上形成栅极结构。本发明简化了具有表面场效应氧化层结构的半导体器件的制造工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 ldmos 功率 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全隔离型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成N型埋层和P型埋层；在N型埋层和P型埋层之上形成外延层；对外延层进行光刻、蚀刻和化学机械研磨形成浅沟槽隔离结构；在位于N型埋层之上的外延层的表面进行介质层沉积；采用同一掩模板对介质层进行光刻去掉多余的介质层形成场效应氧化层，以及对外延层进行光刻和离子注入形成P型阱区和N型阱区；采用NGRD光罩通过N型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成N型漏极漂移区，采用PGRD光罩通过P型阱区继续对外延层进行光刻和离子注入形成P型漏极漂移区；通过N型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在N型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构，通过P型漏极漂移区继续对外延层进行光刻和离子注入在P型漏极漂移区与N型埋层之间形成位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构，位于N型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度大于位于P型漏极漂移区下方的P型隔离结构的掺杂浓度；在场效应氧化层之上形成栅极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810588308.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
