[发明专利]基于源/漏电极区差异性铁电极化的四态铁电晶体管存储器的操作方法在审
| 申请号： | 201810588956.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108899058A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 朱国栋;陈秋松 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于信息技术领域，具体为一种基于源/漏电极区差异性铁电极化的四态铁电晶体管存储器的操作方法。本发明通过在源漏栅三极间施加不同的电压，使源/漏区铁电膜具有互不依赖的铁电极化取向，借助源/漏区域铁电极化状态的组合可以在一个铁电晶体管上实现四个存储状态。本发明在不改变铁电晶体管存储器制备工艺和结构的情况下，可直接使其存储容量翻倍，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电晶体管 铁电极化 存储器 源/漏电极 差异性 四态 信息技术领域 源/漏区域 存储容量 存储状态 制备工艺 源/漏区 铁电膜 取向 三极 源漏 施加 | ||
【主权项】：
1.一种基于源/漏电极区差异性铁电极化的四态铁电晶体管存储器的操作方法，铁电晶体管的结构为：一对源/漏极，一个栅极，一个半导体沟道层和一个铁电层；其特征在于，通过对源漏栅三极上所施加电压的合理调控，实现对源极区和漏极区铁电膜的差异性极化，通过不同的极化状态组合，在一个铁电晶体管器件上实现四个状态存取操作。
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