[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810589501.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037320B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 神田良 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件1包括：包括上表面的半导体衬底50；沟槽电极22，设置在形成在上表面上的沟槽20内；以及沟槽绝缘膜21，设置在沟槽电极22和半导体衬底50之间。半导体衬底50包括：第一导电类型的第一半导体层，到达第一半导体层的沟槽电极22的下端；第二导电类型的深层19，部分地设置在第一半导体层上并且与沟槽绝缘膜21接触；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层上和深层19上并且与沟槽绝缘膜21接触；以及第一导电类型的第三半导体层，设置在深层19之上的第二半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面；沟槽电极，设置在所述上表面上形成的沟槽内；以及沟槽绝缘膜，设置在所述沟槽电极和所述半导体衬底之间，其中所述半导体衬底包括：第一导电类型的第一半导体层，所述沟槽电极的下端到达所述第一半导体层；第二导电类型的深层，部分地设置在所述第一半导体层上并且与所述沟槽绝缘膜接触；所述第二导电类型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层上和所述深层上，并且与所述沟槽绝缘膜接触；以及所述第一导电类型的第三半导体层，设置在所述深层之上的所述第二半导体层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810589501.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
