[发明专利]半导体器件及该半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810590251.8 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109962109B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：n‑型层，设置在衬底的第一表面上；沟槽、n型区和p+型区，设置在n‑型层上；p型区，设置在n型区上；n+型区，设置在p型区上；栅绝缘层，设置在沟槽中；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极，设置在绝缘层、n+型区和p+型区上，该绝缘层设置在栅电极上；以及漏电极，设置在衬底的第二表面上。n型区包括第一部分和第二部分，第一部分与沟槽的侧表面接触并且平行于衬底的上表面延伸，第二部分与第一部分接触、与沟槽的侧表面隔开并且垂直于衬底的上表面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：n‑型层，设置在衬底的第一表面上；沟槽、n型区和p+型区，设置在所述n‑型层上；p型区，设置在所述n型区上；n+型区，设置在所述p型区上；栅绝缘层，设置在所述沟槽中；栅电极，设置在所述栅绝缘层上；绝缘层，设置在所述栅电极上；源电极，设置在所述绝缘层、所述n+型区和所述p+型区上；以及漏电极，设置在所述衬底的第二表面上，其中所述n型区包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述沟槽的侧表面接触并且平行于所述衬底的上表面延伸，所述第二部分与所述第一部分接触、与所述沟槽的侧表面隔开并且在垂直于所述衬底的上表面的方向上延伸。
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