[发明专利]一种振荡装置

摘要

本发明公开了一种振荡装置。一种振荡装置包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第二电阻、第四PMOS管和第五NMOS管。利用本发明可以通过调节所述第二电阻的电阻值可以调节所述第一电容充电电压，这样就调节了振荡器的频率。

主权项

1.一种振荡装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第三NMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第二电阻、第四PMOS管和第五NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，另一端接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的栅极，源极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第四NMOS管的源极，另一端接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极，漏极接所述第四PMOS管的漏极并作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。