[发明专利]一种基于CH3

摘要

本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；在栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；在Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成基于CH3NH3PbI3材料和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料作为光吸收层和Y2O3材料作为栅介质层来制备光敏器件，对改善现有光敏器件的性能具有很大的作用，本发明的光敏器件具有低功耗、高灵敏度的特点。

主权项

1.一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取Si衬底；S2、在所述Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；S3、在所述栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；S4、在所述光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；S5、在所述Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成所述基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。