[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810593548.X | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN109962110B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，包括衬底、n‑型层、n+型区域、p型区域、p+型区域、栅极绝缘层、栅电极、源电极以及漏电极，其中，在平面图中，n+型区域设置在n‑型层的左侧和右侧，并且在平面图中配置为形成带状图案，其中，在平面图中，p+型区域设置在n+型区域的外表面上，并且在平面图中配置为形成带状图案，其中，在平面图中，在n+型区域的内表面上设置有p型区域，并且p型区域在平面图中沿n+型区域的长度方向以预定间隔分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；n‑型层；n+型区域；p型区域；p+型区域；栅极绝缘层；栅电极；源电极；和漏电极，其中，所述n+型区域：在俯视时，设置在所述n‑型层的左侧和所述n‑型层的右侧，并且在俯视时，配置为形成带状图案，其中，所述p+型区域：在俯视时，设置在所述n+型区域的外表面上；并且在俯视时，配置为形成带状图案，以及其中，在俯视时，在所述n+型区域的内表面上设置有所述p型区域，并且在俯视时，所述P型区域沿所述n+型区域的长度方向以预定间隔分离。
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