[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810595785.X | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110224024A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 邱诗航;吴仲强;陈智城;苏崇毅;黄泰维;刘冠廷;李达元;苏庆煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;宋洋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其形成方法的实施例。此半导体装置包含栅极结构，该栅极结构包含高介电常数栅极介电层、功函数金属层、以及无缝金属填充层。高介电常数栅极介电层位于半导体鳍片中的通道之上。功函数金属层位于高介电常数栅极介电层之上。无缝金属填充层位于功函数金属层之上。此半导体装置的形成方法的实施例包含：在短通道半导体鳍片之上形成高介电常数栅极电极层，在高介电常数栅极电极层之上形成功函数金属层，以及在功函数金属层之上顺应性地形成无缝的金属填充层。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电常数栅极 功函数金属层 半导体装置 金属填充层 介电层 半导体鳍片 栅极结构 电极层 短通道 金属层 成功 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一栅极结构，该栅极结构包括：一高介电常数栅极介电层，位于一半导体鳍片中的一通道之上；一功函数金属层，位于该高介电常数栅极介电层之上；以及无缝的一金属填充层，位于该功函数金属层之上。
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