[发明专利]光掩模坯料及其制造方法在审
申请号: | 201810596424.7 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN108594593A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 稻月判臣;吉井崇;桜田豊久;池田显;金子英雄;渡边聪;河合义夫 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/36;G03F1/78 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;张永康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯料 无机膜 抗蚀膜 制造 硅烷化处理 抗蚀剂残渣 透明基板 光掩膜 坯料 显影 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,其特征在于,在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后,进行热处理、臭氧处理、等离子处理中的任一种处理,由此形成前述含硅无机膜,然后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为61.5原子%以上且75原子%以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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