[发明专利]中心频率及带宽全可调的八分之一模基片集成波导滤波器

摘要

本发明涉及中心频率及带宽全可调的八分之一模基片集成波导滤波器。本发明由单层介质板构成EMSIW滤波器，中心频率以及带宽的调谐通过加载变容二极管来实现。通过在EMSIW腔上加载短截线，其谐振频率会减小，同时通过在短截线末端加载变容二极管来调谐频率，创新性的实现了SIW结构的频率调谐方式；两个EMSIW腔通过边缘间隙电耦合，其间隙为加载元件提供物理空间，通过在边缘间隙中加载变容二极管来调谐腔间耦合系数，实现SIW结构带宽调谐。通过引入EMSIW迎合现代射频通信系统对于小型化的要求，并解决传统腔体滤波器很难通过外部加载调谐元件来完成可调的问题。

主权项

1.中心频率及带宽全可调的八分之一模基片集成波导滤波器,其特征在于主要包括介质板，两个EMSIW谐振腔，以及介质板顶层铺设的顶层金属面、输入输出馈线和变容二极管；介质板底层铺设的底层金属面；所述的顶层金属面包括两块结构相同的第一、二金属面；第一金属面的电壁边沿贯穿有一排周期性分布的若干第一金属柱，同时该第一金属柱贯穿介质板、底层金属面；由第一金属面、第一金属柱和底层金属面构成第一个EMSIW谐振腔结构；第一金属面的电场最强位置设置第一短截线，第一短截线的末端连接变容二极管C1和第一金属贴片，第一金属贴片的中心贯穿第三金属柱，同时该第三金属柱贯穿介质板、底层金属面；输入馈线设置在第一个EMSIW谐振腔的虚拟磁壁上，输入馈线中间加载有变容二极管C2；第二个EMSIW谐振腔结构与第一个EMSIW谐振腔结构相同，两EMSIW谐振腔间留有间隙，且两EMSIW结构电耦合；间隙内加载有连接两EMSIW谐振腔的变容二极管C5；第二个EMSIW谐振腔结构具体由第二金属面、第二金属柱和底层金属面构成；第二金属面的电壁贯穿有一排周期性分布的若干第二金属柱，同时该第二金属柱贯穿介质板、底层金属面；第二金属面的电场最强位置设置第二短截线，第二短截线的末端连接变容二极管C3和第二金属贴片，第二金属贴片的中心贯穿第四金属柱，且第四金属柱贯穿介质板、底层金属面；输出馈线设置在第二EMSIW谐振腔的虚拟磁壁上，输出馈线中间加载有变容二极管C4。