[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810596821.4 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110189986A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;赖韦翰;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;张永康 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构的形成方法，此方法包括在基底上提供层状结构，层状结构包括在基底上形成的底层，在底层上形成的硬掩膜层，在硬掩膜层上形成的材料层及在材料层上形成的光阻层；使光阻层曝光于辐射源；将光阻层显影，其中显影步骤于单一步骤中，移除部分的光阻层和材料层，而大抵上不移除部分的硬掩膜层；以及使用光阻层作为蚀刻掩膜，蚀刻硬掩膜层。材料层可包含酸性成分和/或产酸分子。材料层也可包含感光基团和交联剂。 | ||
| 搜索关键词： | 材料层 光阻层 硬掩膜层 半导体装置结构 层状结构 基底 移除 蚀刻 单一步骤 感光基团 蚀刻掩膜 显影步骤 辐射源 交联剂 产酸 显影 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：提供一基底；在该基底上形成一硬掩膜层，其中该硬掩膜层的形成步骤产生一碱性成分；在该硬掩膜层上形成一第一材料层，其中该第一材料层的形成步骤产生一酸性成分，且该酸性成分中和由该硬掩膜层的形成步骤所产生的该碱性成分；在该第一材料层上形成一光阻层；根据一图案，将该光阻层曝光于一辐射源；将该光阻层显影；以及执行一第一蚀刻制程，以在该第一材料层和该硬掩膜层中形成该图案，但不在该基底中形成该图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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