[发明专利]低渗透率电馈通装置有效
| 申请号： | 201810598192.9 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109389996B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 须藤公彦;崔成熏;长冈和洋 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11B5/48 | 分类号： | G11B5/48;G11B5/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;魏利娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了低渗透率电馈通装置。低渗透率电馈通装置包括层压板结构，该层压板结构具有交替的导电层和绝缘层，这些层具有经定位穿过它们的导电通孔，下部连接器焊盘与上部连接器焊盘通过该导电通孔电连接。这种馈通装置可以用在(例如在比空气轻的气体填充的数据存储设备中的)气密密封的内部环境和外部环境之间的接口处。绝缘层经定位和配置以使得相关联的水平泄漏路径可以满足允许的馈通装置泄漏率，同时层的集合经配置以使得相关联的垂直泄漏路径能够满足馈通装置泄漏率。 | ||
| 搜索关键词： | 渗透 率电馈通 装置 | ||
【主权项】：
1.一种经配置以在气密密封环境和外部环境之间介接的电馈通装置，所述馈通装置包括：第一导体层(L1)，其包括L1通孔；第一绝缘体层(I1)，其在所述L1上并且其包括与所述L1通孔同轴的I1通孔；第二导体层(L2)，其在所述I1的第一部分上并且与所述I1的第二部分共面，并且其包括与所述I1通孔同轴的L2通孔，其中所述L2与所述L1部分地重叠；第二绝缘体层(I2)，其在所述L2和所述I1的所述第二部分上并且其包括与所述L2通孔同轴的I2通孔；以及第三导体层(L3)，其在所述I2上并且其包括与所述I2通孔同轴的L3通孔，其中所述L1和所述L3通过导电环的方式电连接，所述导电环经定位穿过所述L1、I1、L2、I2和L3通孔中的每一个。
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