[发明专利]一种生产高效多晶籽晶的铺底方法在审
| 申请号： | 201810598312.5 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108691011A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 徐云飞;毛伟;鄢俊琦;张泽兴;黄林;雷琦;赖昌权 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/08 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 谢德珍 |
| 地址： | 332000 江西省九*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种生产高效多晶籽晶的铺底方法，该铺底方法为，首先采用单晶籽晶在石英坩埚内进行铺底，每块单晶籽晶之间留2‑10cm的缝隙，再用原生纯料或碎硅片填充单晶籽晶之间的缝隙，通过单晶籽晶和原生纯料或碎硅片进行共同引晶生长，可制得高效多晶硅锭。本发明所述的铺底方法制得的高效多晶硅片电池转换效率比传统高效多晶硅片高0.05%以上，提高了高效多晶硅片电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶籽晶 多晶硅片 碎硅片 纯料 多晶 籽晶 多晶硅片电池 多晶硅锭 石英坩埚 转换效率 电性能 引晶 填充 生产 生长 | ||
【主权项】：
1.一种生产高效多晶籽晶的铺底方法，其特征在于，该铺底方法是，首先采用单晶籽晶(2)在石英坩埚(1)内进行铺底，每块单晶籽晶(2)之间留2‑10cm的缝隙，再用原生纯料(3)或碎硅片填充单晶籽晶(2)之间的缝隙，通过单晶籽晶(2)和原生纯料(3)或碎硅片进行共同引晶生长，可制得高效多晶硅锭。
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