[发明专利]全包覆式栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810599213.9 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109728092B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;杨玉麟;陈奕升;陈自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种包括第一晶体管的全包覆式栅极结构。所述第一晶体管包括：半导体衬底，其具有顶部表面；第一纳米线，其在所述半导体衬底的所述顶部表面上方且在第一源极与第一漏极之间；第一栅极结构，其在所述第一纳米线周围；内间隔件，其在所述第一栅极结构与所述第一源极和所述第一漏极之间；和隔离层，其在所述半导体衬底的所述顶部表面与所述第一源极和所述第一漏极之间。本公开还提供一种用于制造本文中所描述的所述全包覆式栅极结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 全包覆式 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全包覆式栅极结构，其包含：第一晶体管，其包含：半导体衬底，其具有顶部表面；第一纳米线，其在所述半导体衬底的所述顶部表面上方且在第一源极与第一漏极之间；第一栅极结构，其在所述第一纳米线周围；内间隔件，其在所述第一栅极结构与所述第一源极之间；及隔离层，其在所述半导体衬底的所述顶部表面与所述第一源极和所述第一漏极之间。
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