[发明专利]一种高掺杂Si衬底器件底层SI定量去除方法在审
| 申请号： | 201810600833.X | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108878262A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 常小宇;陈俊;王学毅;陈仙 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高掺杂Si衬底器件底层SI定量去除方法，器件中包括高掺杂衬底层、低掺杂外延层、器件层和保护层，其特征在于，包括步骤：1)在高掺杂衬底层的上表面覆盖低掺杂外延层；2)在低掺杂外延层的上表面制备器件，形成器件层；3)在器件层的上表面覆盖保护层；4)将步骤3)中得到的圆片进行倒置后，对高掺杂衬底层进行机械减薄；5)使用1#Si腐蚀液对步骤4)中减薄后的高掺杂衬底层进行湿法腐蚀，直至高掺杂衬底层全部去除；6)使用2#Si腐蚀液对步骤5)中裸露出的低掺杂外延层进行湿法腐蚀，直至低掺杂外延层的厚度为1～100μm。 | ||
| 搜索关键词： | 高掺杂 衬底层 低掺杂 外延层 器件层 上表面 去除 衬底器件 湿法腐蚀 腐蚀液 覆盖保护层 机械减薄 制备器件 倒置 保护层 减薄 圆片 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高掺杂Si衬底器件底层SI定量去除方法，器件中包括高掺杂衬底层(101)、低掺杂外延层(102)、器件层(103)和保护层(104)，其特征在于，包括步骤：1)在高掺杂衬底层(101)的上表面覆盖低掺杂外延层(102)；2)在低掺杂外延层(102)的上表面制备器件，形成器件层(103)；3)在器件层(103)的上表面覆盖保护层(104)；4)将步骤3)中得到的圆片进行倒置后，对高掺杂衬底层(101)进行机械减薄；5)使用1#Si腐蚀液对步骤4)中减薄后的高掺杂衬底层(101)进行湿法腐蚀，直至高掺杂衬底层(101)全部去除；6)使用2#Si腐蚀液对步骤5)中裸露出的低掺杂外延层(102)进行湿法腐蚀，直至低掺杂外延层(102)的厚度为1～100μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
