[发明专利]一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法有效
| 申请号： | 201810600968.6 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108640091B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张艳锋;史建平 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11472 北京方安思达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈琳琳;张红生<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法，包括：将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理；将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中，利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钽纳米片的生长。生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔上的不同厚度二硒化钽纳米片样品。化学气相沉积方法的使用能够实现大面积、高质量、厚度可调二硒化钽样品的批量可控制备；可以实现其微观形貌和电子结构的探索；通过调控生长时间可以制备不同厚度/畴区尺寸的二硒化钽样品。 | ||
| 搜索关键词： | 二硒化钽 纳米片 化学气相沉积 金箔 预退火 生长 清洗 常压化学气相沉积 高温管式炉 电子结构 厚度可调 微观形貌 氩气 氢气 可控制 温度降 畴区 放入 制备 调控 购买 探索 | ||
【主权项】：
1.一种常压化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法，所述方法包括以下步骤：/n1)将金箔衬底进行清洗和高温预退火处理；/n2)将处理后的金箔衬底置于三温区高温管式炉中，按照气路由上游至下游的顺序，依次放置硒粉、五氯化钽和金箔衬底；/n3)向高温管式炉的反应腔内通入氩气和氢气，对反应腔进行清洗，清洗时间30分钟；/n4)分别升高硒粉、五氯化钽和金箔衬底的温度至300～320℃、400～450℃和900～930℃，进行二硒化钽的生长；/n5)二硒化钽生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔衬底上的二硒化钽纳米片样品。/n
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