[发明专利]一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法有效
| 申请号： | 201810601105.0 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108411366B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张国栋;刘琳;张鹏;陶绪堂 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法，该装置包括炉体、与炉体连接用于支撑炉体的机架和支撑机构；炉体包括炉管和包覆在炉管外表面的保温套，炉管和保温套之间设置有加热炉丝；支撑机构通过旋转装置与长晶杆连接用于控制长晶杆的旋转，长晶杆穿插设置在炉管中，长晶杆位于炉管中的端部设置有生长石英安瓿；支撑机构还通过升降杆与升降支架连接用于控制长晶杆的升降。采用该装置既可精确控制晶体生长的温度，又可随时监控晶体生长的状况。同时，通过物理气相传输法也易获得大尺寸、高质量的晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤化 单晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种卤化亚汞单晶体生长装置，其特征在于，该装置包括炉体、与炉体连接用于支撑炉体的机架、支撑机构；所述的炉体包括炉管和包覆在炉管外表面的保温套，所述的炉管和保温套之间设置有加热炉丝；所述的支撑机构通过旋转装置与长晶杆连接用于控制长晶杆的旋转，所述的长晶杆穿插设置在炉管中，所述的长晶杆位于炉管中的端部设置有生长石英安瓿；所述的支撑机构还通过升降杆与升降支架连接用于控制长晶杆的升降。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810601105.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
