[发明专利]基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法有效
| 申请号： | 201810601667.5 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108806990B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 梁桂杰;陈美华;汪竞阳;李望南;王松;程晓红;吴凯丰 | 申请（专利权）人： | 湖北文理学院 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李永宏 |
| 地址： | 441000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 光阳极 量子阱 导电基片 巯基烷酸 量子 光电转化效率 能级 界面电荷 导带 片壳 制备 浸泡 敏化剂溶液 分离效率 复合作用 价带能级 吸光效率 醇溶液 可控性 核层 吸附 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，其特征在于，包括：将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡，得表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜，将所述表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡，得所述基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极；其中，/n所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱根据以下方法制得：将量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液在加热下与含CdSe量子片核层材料的种子溶液混合，得混合液；所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液与所述种子溶液混合之前，将所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液在真空环境下以100-150℃的温度加热1-2h，之后快速地向所述种子溶液中加入所述含镉前驱液；/n将混合液在190-220℃的条件下加热反应5-10s后，加热温度190-220℃的条件下，向所述混合液中滴加量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液进行反应，滴加完成后反应0.5-1.5h并用冰浴终止，得到所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。/n
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