[发明专利]电子传输材料及其制备方法和量子点发光二极管在审
| 申请号： | 201810602760.8 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110600621A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述电子传输材料为Al掺杂的ZnS纳米颗粒材料。所述电子传输材料的制备方法，包括如下步骤：提供锌盐、铝盐和硫源；将所述锌盐、铝盐和硫源溶于溶剂中，得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液沉积在基片上，退火处理，得到Al掺杂的ZnS纳米颗粒材料。Al掺杂的ZnS纳米颗粒材料，提高了自由载流子浓度，使ZnS的电阻降低，增加电导率，同时Al掺杂可使ZnS中电子费米能级移动到导带，使其表现为金属性，实现将ZnS的禁带宽度由本征的3.62eV降低到3.30eV，从而使得ZnS的禁带宽度变窄。 | ||
| 搜索关键词： | 电子传输材料 纳米颗粒材料 掺杂的 前驱体溶液 量子点 禁带 硫源 铝盐 锌盐 制备 电导率 发光二极管 自由载流子 电阻降低 费米能级 宽度变窄 退火处理 金属性 溶剂 本征 导带 沉积 掺杂 移动 表现 | ||
【主权项】：
1.一种电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料为Al掺杂的ZnS纳米颗粒材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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