[发明专利]多晶硅全熔铸锭工艺在审
| 申请号： | 201810602875.7 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108624956A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 唐珊珊;刘智;刘东;王振刚;王振防 | 申请（专利权）人： | 山东大海新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 257300 山东省东营市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多晶硅全熔铸锭工艺，属于光伏技术领域。该工艺包括下述步骤：1)装料阶段：将硅料装填入坩埚，转移坩埚至铸锭炉；2)加热、熔化阶段：关闭隔热笼，在真空条件下加热、熔化硅料，在熔化阶段的坩埚内部达到预设温度后调整隔热笼的开度；3)长晶阶段：调整隔热笼的开度为全部开度的30％‑70％，长晶温度为1410‑1460℃；4)液态硅长晶结束后，退火、冷却，即制得多晶硅锭。该工艺制备的多晶硅的良率高，对晶硅少子的寿命长，多晶硅底部红区的短；工艺周期短，生产效率高；喷涂氮化硅的坩埚不与多晶硅铸锭粘锅；坩埚表面的喷涂的氮化硅为疏松粗糙表面，具有石英砂形核、缝隙形核和氮化硅形核，多种引晶并存，周期短良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 坩埚 熔化 氮化硅 隔热笼 开度 喷涂 硅料 良率 形核 加热 熔铸 退火 多晶硅铸锭 装料 粗糙表面 多晶硅锭 工艺制备 工艺周期 生产效率 真空条件 坩埚表面 缝隙形 石英砂 液态硅 铸锭炉 装填 光伏 晶硅 少子 疏松 引晶 预设 粘锅 冷却 申请 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅全熔铸锭工艺，其特征在于，包括下述步骤：1)装料阶段：将硅料装填入坩埚，转移坩埚至铸锭炉；2)加热、熔化阶段：关闭隔热笼，将铸锭炉抽至真空，加热、熔化硅料，在熔化阶段的坩埚内部达到预设温度后打开隔热笼并调整隔热笼的开度；3)长晶阶段：调整隔热笼的开度为全部开度的30％‑70％，长晶温度为1410‑1460℃；4)退火、冷却阶段：液态硅长晶结束后，退火、冷却，即制得多晶硅锭。
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