[发明专利]低阻单晶硅掺杂方法在审
| 申请号： | 201810602914.3 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108588816A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 唐珊珊;许红方;罗闵浩;关培海;龚连鹤 | 申请（专利权）人： | 山东大海新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 257300 山东省东营市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种低阻单晶硅掺杂方法，包括以下步骤：先将低阻镓材料和低阻硼材料制成低阻镓硼硅合金材料，然后再加入硅料中，接着进行抽真空、引晶、缩颈、放肩，以更好的满足低阻单晶硅的生产。本方法制得的单晶硅的电阻率档位为0.5‑1.5Ω·cm，将单晶硅太阳能电池光电转化效率提升至21.71％；在不影响单晶硅抗衰减能力的情况下，解决了由于镓分凝系数低导致单晶硅轴向电阻率分布不均匀的问题，提高了原材料利用率，提高了低阻单晶硅产品合格率，减少浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 低阻 掺杂 单晶硅太阳能电池 光电转化效率 原材料利用率 产品合格率 电阻率档位 电阻率分布 分凝系数 合金材料 不均匀 抽真空 抗衰减 硼材料 放肩 硅料 硼硅 缩颈 引晶 轴向 申请 生产 | ||
【主权项】：
1.一种低阻单晶硅掺杂方法，其特征在于，该掺杂方法包括以下步骤：先将低阻镓材料和低阻硼材料制成低阻镓硼硅合金材料，然后再加入硅料中，接着进行抽真空、引晶、缩颈、放肩。
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