[发明专利]一种半导体硅晶圆研磨处理系统有效

专利信息
申请号: 201810603285.6 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN108857862B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 吴宇祥 申请(专利权)人: 山东科芯电子有限公司
主分类号: B24B37/10 分类号: B24B37/10;B24B37/34;B24B27/00;B24B53/017
代理公司: 温州名创知识产权代理有限公司 33258 代理人: 陈加利
地址: 250200 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于半导体制造技术领域,具体的说是一种半导体硅晶圆研磨处理系统,包括箱体、一号气压缸、上磨盘、研磨模块、控制模块和收集箱;所述研磨模块包括一号研磨模块和二号研磨模块,所述一号研磨模块和二号研磨模块是相同结构;所述一号研磨模块安装在控制模块上;所述二号研磨模块位于一号研磨模块的下方,所述控制模块位于箱体的中部;所述收集箱固定安装在箱体底部;摆动球转动时依次通过不同大小的圆形槽,使得下磨盘受到摆动球的挤压而向一侧倾斜,加大了晶圆与上磨盘的接触面积;同时摆动球受到一号板弹力和离心力的共同作用,使得摆动球撞击下磨盘,使得下磨盘产生晃动,从而提高了研磨效率。
搜索关键词: 一种 半导体 硅晶圆 研磨 处理 系统
【主权项】:
1.一种半导体硅晶圆研磨处理系统,包括箱体(1)、一号气压缸(2)、上磨盘(3);其特征在于:还包括研磨模块(4)、控制模块(5)和收集箱(6);所述一号气压缸(2)固定安装在箱体(1)顶部,一号气压缸(2)底部固定安装有上磨盘(3),一号气压缸(2)用于控制上磨盘(3)与研磨模块(4)配合对半导体硅晶圆进行研磨;所述研磨模块(4)包括一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8),所述一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8)是相同结构;所述一号研磨模块(7)安装在控制模块(5)上;所述二号研磨模块(8)位于一号研磨模块(7)的下方;所述一号研磨模块(7)用于与上磨盘(3)配合对半导体硅晶圆进行研磨;所述控制模块(5)位于箱体(1)的中部,控制模块(5)用于控制一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8)的翻转;所述收集箱(6)固定安装在箱体(1)底部,收集箱(6)用于将半导体硅晶圆清理后灰尘的进行收集;其中,所述控制模块(5)包括第一电机(51)、一号转动板(54)、一号杆(55)、二号杆(56);所述第一电机(51)固定在箱体(1)侧壁上;所述第一电机(51)转轴固连着一号转动板(54);所述一号杆(55)贯穿一号转动板(54)并和一号转动板(54)固连,所述一号杆(55)的两端分别滑动安装在箱体(1)侧壁的环形槽(92)内,所述二号杆(56)与一号杆(55)以第一电机(51)的转轴对称设置;所述一号研磨模块(7)包括下磨盘(71)、一号伸缩杆(72)、二号转动盘(73)和第二电机(74);一号研磨模块(7)的第二电机(74)固定安装在一号杆(55)上,二号研磨模块(8)的第二电机(74)固定安装在二号杆(56)上;所述第二电机(74)输出轴与二号转动盘(73)固定连接;所述二号转动盘(73)通过一组并联的一号伸缩杆(72)安装在下磨盘(71)上;所述二号转动盘(73)顶部设有固定块,所述固定块通过弹簧固定连接有摆动球(731);所述二号研磨模块(8)与一号研磨模块(7)对称设置;所述下磨盘(71)底部设有一组为同心圆的圆形槽(9),一组圆形槽(9)的直径大小向下磨盘(71)外侧依次减小;所述二号转动盘(73)顶部设有和下磨盘(71)的相匹配的圆形槽(9)。
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