[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201810603588.8 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108807421B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 谭志威 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。该TFT阵列基板的制作方法，通过减薄光阻凸出部的厚度，以减薄光阻凸出部的厚度后的光阻层为遮挡，对所述氧化物半导体层进行干蚀刻时，能将厚度被减薄的光阻凸出部蚀刻掉，同时将位于厚度被减薄的光阻凸出部下方的氧化物半导体层蚀刻掉，使形成的有源层边缘与源漏极金属层的边缘平齐，减小有源层与信号走线形成的寄生电容，并且提高开口率。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上依次形成第一金属层(20)、绝缘层(30)、氧化物半导体层(40)以及第二金属层(50)；在所述第二金属层(50)上形成光阻层(100)，以所述光阻层(100)为遮挡，对所述第二金属层(50)进行湿蚀刻，得到暴露出部分氧化物半导体层(40)的源漏极金属层(51)，远离源漏极金属层(51)的光阻层(100)边缘形成光阻凸出部(101)；减薄所述光阻凸出部(101)的厚度；以所述光阻层(100)为遮挡，对所述氧化物半导体层(40)进行干蚀刻，同时蚀刻掉所述光阻凸出部(101)及位于所述光阻凸出部(101)下方的氧化物半导体层(40)，得到有源层(41)，所述有源层(41)边缘与源漏极金属层(51)的边缘平齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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