[发明专利]阵列基板制作方法及阵列基板、显示面板

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，以及一种显示面板。通过对所述栅极材料层进行两次蚀刻得到栅极层，并对所述多晶硅材料层进行两次离子掺杂，以在不增加光罩的情况下，得到对应于不同的薄膜晶体管的不同长度的低掺杂区的所述多晶硅层，从而降低所述阵列基板及所述显示面板的制作成本。

主权项

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板，在所述基板上形成多晶硅材料层，对所述多晶硅材料层进行图案化，得到多晶硅图案层；所述多晶硅图案层包括第一多晶硅图案及第二多晶硅图案；在所述多晶硅图案层上依次形成栅极绝缘层及栅极材料层，通过第二道光罩图案化所述栅极材料层，得到栅极图案层；所述栅极图案层包括第一栅极图案、第二栅极图案，以及位于所述第二栅极图案的至少一侧的一个或多个间隔设置的辅助图案，所述第一栅极图案及所述第二栅极图案均包括第一部分及位于所述第一部分两侧的第二部分；所述第一栅极图案层叠于所述第一多晶硅图案上，且在垂直于所述基板方向上部分覆盖所述第一多晶硅图案；所述第二栅极图案及所述辅助图案层叠于所述第二多晶硅图案上，且在垂直于所述基板方向上部分覆盖所述第二多晶硅图案；从所述栅极图案层一侧对所述多晶硅图案层进行重掺杂，所述第一多晶硅图案未被所述第一栅极图案覆盖的区域掺杂形成高掺杂区；所述第二多晶硅图案层未被所述第二栅极图案及辅助图案覆盖的区域掺杂形成高掺杂区；对所述栅极图案层进行刻蚀，以刻蚀掉所述辅助图案，并将所述第一栅极图案的第二部分刻蚀掉以得到第一栅极，将所述第二栅极图案的第二部分刻蚀掉以得到第二栅极，所述第一栅极及所述第二栅极均位于栅极层；从所述栅极层一侧对所述多晶硅图案层进行轻掺杂，以将所述第一栅极图案的第二部分对应的区域形成所述第一多晶硅图案的低掺杂区，将所述第二栅极图案的第二部分对应的区域及所述辅助图案覆盖的区域形成所述第二多晶硅图案的低掺杂区；所述第一栅极对应的区域形成所述第一多晶硅图案的沟道区，所述第二栅极对应的区域形成所述第二多晶硅图案的沟道区。