[发明专利]基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810606336.0 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108828036B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张修华;毛乐宝;文为;何汉平;王升富 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和在Fumonisin B |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化 石墨 硫化 量子 点异质 结构 分子 印迹 电化学传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：所述传感器包括工作电极，以及依次涂覆在所述电极表面的基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构光电转换层和分子印迹聚合物膜层。
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