[发明专利]光擦除和读取的铁电隧道结存储单元及其擦除和读取方法有效
| 申请号： | 201810606419.X | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109037218B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 侯鹏飞;钟向丽;张溢;王金斌;郭红霞 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种光擦除和读取的铁电隧道结存储单元及其擦除和读取方法。包括依次堆叠的衬底、半导体下电极、铁电超薄膜和二维材料半导体上电极，半导体下电极位于衬底和铁电超薄膜之间，铁电超薄膜位于二维材料半导体上电极和半导体下电极之间，铁电超薄膜厚度为0.4nm‑10nm，半导体下电极的厚度为10nm‑80nm，二维材料半导体上电极的厚度为0.1nm‑20nm。本发明解决了现有技术中使用电场和力来进行存储态控制的铁电隧道结,导致电路模块设计复杂，不能达到工业化应用要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 读取 隧道 结存 单元 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光擦除和读取的铁电隧道结存储单元,包括依次堆叠的衬底、半导体下电极、铁电超薄膜和二维材料半导体上电极,其特征在于，所述半导体下电极位于所述衬底和所述铁电超薄膜之间，所述铁电超薄膜位于所述二维材料半导体上电极和所述半导体下电极之间；所述铁电超薄膜厚度为0.4nm‑10nm，所述半导体下电极的厚度为10nm‑80nm，所述二维材料半导体上电极的厚度为0.1nm‑20nm；所述半导体下电极由钌酸锶、掺杂钛酸锶、镧锶锰氧、掺铌钛酸锶、氧化铟锡中的一种或者几种薄膜叠加构成；所述二维材料半导体上电极为二硫化钼、硫化锡、硫化锗、硫化钨、硫化镓、硫化镉中的一种或者几种薄膜叠加构成。
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