[发明专利]一种基于化学修饰的黑磷材料太阳能电池及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810606844.9 申请日: 2018-06-13
公开(公告)号: CN108963021B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 雷双瑛;郭斯佳;沈海云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0304;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于化学修饰的黑磷材料太阳能电池及制备方法,该电池包括衬底、缓冲层、下电极、掺氧黑磷、掺镍黑磷和上电极;其制备方法如下:1)清洗硅衬底后,在其表面生长得到缓冲层;2)在缓冲层上表面沉积指定厚度的掺镍黑磷,得到掺镍黑磷薄层;3)在掺镍黑磷薄层上表面沉积指定厚度的掺氧黑磷,得到掺氧黑磷薄层;4)在掺镍黑磷薄层上蒸镀金属层得到下电极,在掺氧黑磷薄层上蒸镀金属层得到上电极(6),得到所述的基于化学修饰的黑磷材料的太阳能电池。本发明以掺氧黑磷和掺镍黑磷构成Ⅰ型半导体异质结,以掺氧黑磷为给体,以掺镍黑磷为受体,二者容易达到晶格匹配,基于该材料的器件稳定性强,不易发生退化,且制备工艺简单。
搜索关键词: 一种 基于 化学 修饰 黑磷 材料 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于化学修饰的黑磷材料的太阳能电池,其特征在于:该太阳能电池包括硅衬底(1)、缓冲层(2)、掺镍黑磷薄层(3)、下电极(4)、掺氧黑磷薄层(5)和上电极(6),其中硅衬底(1)为最底层,在其上表面生长有缓冲层(2),在缓冲层(2)上表面沉积有掺镍黑磷薄层(3);在掺镍黑磷薄层(3)上表面沉积有掺氧黑磷薄层(5),并在掺镍黑磷薄层(3)上表面蒸镀金属层得到下电极(4),且掺氧黑磷薄层(5)和下电极(4)不接触;在掺氧黑磷薄层(5)上表面蒸镀金属层,得到上电极(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810606844.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top