[发明专利]一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810609679.2 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108807509A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;陈佳;李柳暗 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/43;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体的技术领域，更具体地，涉及一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件及其制备方法。一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件，其中，由下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN外延层，AlGaN外延层，两端形成源极和漏极，低温合成无刻蚀损伤的栅极区域P型氧化物材料层、与漏极相连的P型氧化物材料层以及栅漏之间的场限环。该氧化物可作为栅极耗尽沟道电子实现常关型工作、与漏极相连的部分可以在关态时降低反向漏电流并在高场下注入空穴提升导通电阻稳定性。栅极金属与漏极金属之间的P型氧化物可以形成场限环结构，有利于栅漏间电场的均衡分布，提升耐压能力。本发明工艺简单且与传统CMOS工艺兼容，能够有效提高器件耐压以及导通电阻稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 高耐压 高导 漏极 导通电阻 材料层 场限环 栅漏 制备 空穴 反向漏电流 应力缓冲层 电场 低温合成 沟道电子 均衡分布 刻蚀损伤 漏极金属 耐压能力 栅极金属 栅极区域 氧化物 衬底 关态 耐压 源极 耗尽 半导体 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件，其特征在于，由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），AlGaN外延层（4），两端形成源极（5）和漏极（6），低温合成栅极区域P型氧化物材料层（7）、与漏极相连的P型氧化物材料层（7）以及栅漏之间的场限环（7）。
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