[发明专利]氧化层的制造方法

摘要

本发明公开了一种氧化层的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一硅片，对硅片表面进行预处理；步骤二、进行氧化层生长，包括分步骤：步骤21、进行饱压工艺，饱压气体采用惰性气体或氮气；在升温过程中，硅片表面的Si‑H键断裂并产生H2，通过饱压气体将H2吹出；步骤22、进行二氧化硅沉积工艺，在稳定的温度和气压下，氧源气体和硅反应形成二氧化硅层。本发明能提高氧化层的质量以及氧化层和硅表面的界面质量，减少氧化层和硅的界面缺陷，改善器件的闪烁噪声。

主权项

1.一种氧化层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅片，对所述硅片表面进行预处理且预处理后在所述硅片表面残留有Si‑H键；步骤二、进行氧化层生长，包括如下分步骤：步骤21、进行饱压工艺，在所述饱压工艺中对进行氧化层生长的反应腔体进行升温以及通入饱压气体使所述反应腔体的气压稳定，所述饱压气体采用惰性气体或氮气；在升温过程中，所述硅片表面的Si‑H键断裂并产生H2，通过所述饱压气体将产生的H2吹出；步骤22、进行二氧化硅沉积工艺，在所述二氧化硅沉积工艺中通入氧源气体；在稳定的温度和气压下，所述氧源气体和所述硅片的硅反应并在所述硅片表面形成二氧化硅层；利用所述二氧化硅层都是在稳定的温度和气压下形成的特点提高所述二氧化硅层的质量以及提高所述二氧化硅层和所述硅片的界面质量。