[发明专利]接触孔的填充方法在审
| 申请号： | 201810612009.6 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108831858A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡旻錞;陈建勋;许家彰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的填充方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成接触孔的开口；步骤二、在接触孔的开口的底部表面和侧面形成作为粘附层的钛层；步骤三、采用金属钨的PVD工艺在钛层表面形成第一钨层；步骤四、采用CVD工艺在第一钨层表面形成主体钨层并将接触孔的开口完全填充从而形成接触孔。本发明利用金属钨的PVD工艺不采用WF6的特点取消作为用于阻挡WF6扩散的阻挡层，能同时实现降低接触电阻以及实现更好的主体钨层的填充。 | ||
| 搜索关键词： | 接触孔 钨层 填充 开口 金属钨 降低接触电阻 表面形成 底部表面 钛层表面 粘附层 阻挡层 衬底 钛层 半导体 扩散 阻挡 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔的填充方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成接触孔的开口；步骤二、在所述接触孔的开口的底部表面和侧面形成钛层，所述钛层作为粘附层；步骤三、采用金属钨的PVD工艺在所述钛层表面形成第一钨层；利用金属钨的PVD工艺不采用WF6的特点取消作为用于阻挡WF6扩散的阻挡层，通过取消所述阻挡层降低接触电阻同时增加后续的主体钨层填充前的所述接触孔的开口内剩余开口的宽度，有利于后续的所述主体钨层的填充；所述第一钨层同时作为后续的主体钨层形成时籽晶层；步骤四、采用CVD工艺在所述第一钨层表面形成所述主体钨层，所述主体钨层将所述接触孔的开口完全填充并形成所述接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
