[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器，形成于P型半导体衬底上且包括多个像素单元；各像素单元包括表面钳位光电二极管，钳位光电二极管包括形成于P型半导体衬底中的N型埋层和形成于所述N型埋层表面的表面P+层；相邻的表面钳位光电二极管之间的P型半导体衬底表面形成有场氧层；在场氧层的底部形成有第一P型掺杂隔离区；在N型埋层的底部形成有全面注入的第二P型掺杂隔离区，第一P型掺杂隔离区的底部表面的深度大于等于第二P型掺杂隔离区的顶部表面的深度使第一P型掺杂隔离区的底部和第二P型掺杂隔离区相交叠。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能保证实现衬底噪声隔离的条件下节省成本。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，CMOS图像传感器形成于P型半导体衬底上且包括多个像素单元；各所述像素单元包括表面钳位光电二极管，所述钳位光电二极管包括形成于所述P型半导体衬底中的N型埋层和形成于所述N型埋层表面的表面P+层且由所述P型半导体衬底、所述N型埋层和所述表面P+层叠加形成所述钳位光电二极管；相邻的所述表面钳位光电二极管之间的所述P型半导体衬底表面形成有场氧层；在所述场氧层的底部形成有第一P型掺杂隔离区，所述第一P型掺杂隔离区的顶部延伸到所述P型半导体衬底表面并将所述场氧层的侧面包围，所述第一P型掺杂隔离区的底部表面的深度大于所述钳位光电二极管的N型埋层的底部表面的深度；在所述钳位光电二极管的N型埋层的底部的所述P型半导体衬底中形成有第二P型掺杂隔离区，所述第二P型掺杂隔离区为全面注入结构，所述第一P型掺杂隔离区的底部表面的深度大于等于所述第二P型掺杂隔离区的顶部表面的深度，所述第一P型掺杂隔离区的底部和所述第二P型掺杂隔离区相交叠，通过所述第二P型掺杂隔离区实现衬底噪声隔离。