[发明专利]降低切换式电容器电荷泵的切换接通状态电阻的方法有效
| 申请号： | 201810612154.4 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109309449B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 勾文敏 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及降低切换式电容器电荷泵的切换接通状态电阻的方法，所提供的是以FDSOI工艺技术实施的切换式电容器电荷泵及其形成方法。具体实施例包括提供FDSOI衬底；提供位在FDSOI衬底上方耦合于输入接端与输出接端之间的多级第一与第二对NFET与PFET，各级的第一与第二对彼此对立；提供位在该FDSOI衬底上方的多个第一与第二电容器，各第一与第二电容器分别连接至一级的第一与第二对NFET与PFET；将各对的NFET的背栅极与PFET的背栅极连接；将该连接的NFET及PFET背栅极连接至该对的前栅极；以及将各对的源极连接至该级内的对立对的前栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 切换 电容器 电荷 接通 状态 电阻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包含：全空乏硅绝缘体(FDSOI)衬底；位在该FDSOI衬底上方的耦合于输入接端与输出接端之间的多级第一与第二对n型场效应晶体管(NFET)及p型场效应晶体管(PFET)，各级的该第一与第二对彼此对立；以及位在该FDSOI衬底上方的多个第一与第二电容器，各第一与第二电容器分别连接至一级的第一与第二对NFET与PFET，其中，各对的NFET的背栅极及PFET的背栅极彼此连接并且连接至该对的前栅极，以及各对的源极连接至该级内的对立对的前栅极。
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