[发明专利]对膜进行蚀刻的方法

摘要

本公开涉及对膜进行蚀刻的方法，能够减少在校准流量控制器后被依次处理的被加工物之间的膜的蚀刻的结果之差。在一个实施方式的方法中，根据正在向腔室供给第一气体时的腔室的压力上升率来校准第一气体用的流量控制器。接着，向腔室供给第二气体。接着，向腔室供给包含第一气体和第二气体的混合气体。接着，利用包含第一气体和第二气体的混合气体来从被加工物的膜生成反应生成物。反应生成物升华并且被去除。

主权项

1.一种对膜进行蚀刻的方法，使用处理系统来蚀刻被加工物的膜，其中，所述处理系统具有第一处理装置和第二处理装置，所述第一处理装置具有：第一腔室主体，其提供第一腔室；载物台，其设置于所述第一腔室内；气体供给部，其向所述第一腔室供给第一气体和第二气体，并且具有用于控制该第一气体的流量的流量控制器，该第一气体和该第二气体与所述膜发生反应而形成反应生成物；排气装置，其对所述第一腔室进行排气；以及阀，其连接在所述第一腔室与所述排气装置之间，所述第二处理装置具有：第二腔室主体，其提供第二腔室；以及加热器，其在所述第二腔室内对被加工物进行加热，所述方法包括：校准所述流量控制器的工序，在该工序中，根据在关闭所述阀并且被该流量控制器调整了流量的所述第一气体正在向所述第一腔室供给的状态下的、所述第一腔室的压力的上升率，来获取所述第一气体的流量的测定值，使用该测定值来校准所述流量控制器；向所述第一腔室供给所述第二气体的工序；对所述第一腔室进行排气的工序；在所述载物台上没有载置物体的状态下向所述第一腔室供给包含所述第一气体和所述第二气体的混合气体的工序；在所述被加工物载置于所述载物台上的状态下向所述第一腔室供给包含所述第一气体和所述第二气体的混合气体，由此从所述膜形成所述反应生成物的工序；以及在将具有所述反应生成物的所述被加工物收容于所述第二腔室的状态下，对具有所述反应生成物的所述被加工物进行加热，由此去除所述反应生成物的工序。