[发明专利]一种基于贝叶斯模型的SRAM电路良率分析方法有效
| 申请号： | 201810614800.0 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110610009B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 曾璇;严昌浩;王胜国;周海;周电;翟金源 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06K9/62 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路技术领域，涉及集成电路可制造性设计中静态随机存储电路良率分析方法，本方法中，首先使用互信息和序列二次规划，对高维SRAM电路的扰动空间进行降维，实现高维SRAM电路最佳平移矢量的快速计算；然后建立低维和高维SRAM电路性能分布的贝叶斯模型；最后，使用低维SRAM电路的先验知识，可极大地加速高维SRAM电路性能分布的拟合，大幅减小高维SRAM电路仿真次数，获得符合精度要求的SRAM失效率。实验结果表明，本发明提出的方法明显优于目前国际上已知的最好方法，可实现6‑7倍加速比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 贝叶斯 模型 sram 电路 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于贝叶斯模型的SRAM电路良率分析方法，其特征在于，该方法中：首先使用互信息和序列二次规划，快速计算最佳平移矢量；然后，建立低维和高维SRAM电路性能分布之间的贝叶斯模型；最后，利用低维SRAM电路作为先验知识，加速高维SRAM电路性能分布的拟合，减小高维SRAM电路仿真次数，获得符合精度要求的SRAM失效率；/n所述方法中包括：/n输入参数：/n1)SRAM电路网表、电路仿真器SPICE；/n2)扰动工艺参数的概率密度分布函数；/n3)每个性能参数的失效阈值spec
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