[发明专利]一种四元共蒸AIGS薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810615945.2 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108831939B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张险峰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 肖平安 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四元共蒸AIGS薄膜，包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层；所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。本发明还公开了四元共蒸AIGS薄膜的制备方法以及AIGS薄膜太阳能电池。采用一步法，通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制，提高效率和薄膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四元共蒸 aigs 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种四元共蒸AIGS薄膜，其特征在于，包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层；所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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