[发明专利]垂直堆叠的图像传感器在审
申请号: | 201810616330.1 | 申请日: | 2014-01-15 |
公开(公告)号: | CN108962926A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 范晓峰 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335;H04N5/369;H04N9/04;H01L29/78 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及垂直堆叠的图像传感器。更具体而言,本申请公开了一种具有光电二极管芯片和晶体管阵列芯片的垂直堆叠图像传感器。光电二极管芯片包括至少一个光电二极管和从光电二极管芯片的顶表面垂直延伸的传输门。该图像传感器进一步包括堆叠于光电二极管芯片的顶部的晶体管阵列芯片。该晶体管阵列芯片包括控制电路和存储节点。该图像传感器进一步包括垂直堆叠于晶体管阵列芯片上的逻辑芯片。传输门从至少一个光电二极管向晶体管阵列芯片传送数据,并且逻辑芯片选择性地激活垂直传输门、复位门、源极跟随器门和行选择门。 | ||
搜索关键词: | 晶体管阵列芯片 图像传感器 光电二极管芯片 垂直堆叠 传输门 光电二极管 逻辑芯片 源极跟随器 传送数据 存储节点 控制电路 顶表面 复位门 行选择 堆叠 垂直 激活 申请 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:光电二极管芯片,所述光电二极管芯片包括:被分组为像素单元的多个像素,像素单元包括两个或更多个像素,每个像素包括:用于接收光的光电二极管;和第一传输门,所述第一传输门可操作地连接在所述光电二极管和由所述两个或更多个像素共享的传输通道之间;和晶体管阵列芯片,所述晶体管阵列芯片垂直堆叠在所述光电二极管芯片上,所述晶体管阵列芯片包括:与所述像素单元通信的多个通信路径,每个通信路径包括:第二传输门,所述第二传输门可操作地连接在共享传输通道和存储节点之间;和存储传输门,所述存储传输门可操作地连接到所述存储节点;其中所述共享传输通道从所述光电二极管芯片垂直延伸到所述晶体管阵列芯片,并且将来自所述像素单元中的至少一个光电二极管的电荷传输到相应的通信路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的