[发明专利]一种新型封装结构的功率模块在审
| 申请号： | 201810616670.4 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108598074A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 谢宗奎;邹琦;柯俊吉;徐鹏;赵志斌;崔翔 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 102200 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子以及第二驱动端子设置在底座的上表面；第一直流侧端子与第二直流侧端子位于同一轴线上。本发明所提供的同轴结构的直流侧端子能够有效地减小直流侧端子的距离并增大其耦合面积，增大直流侧端子的互感，减小功率模块的封装电感，进一步减小功率模块内部碳化硅MOSFET在开关瞬态和短路情况下所承受的电压过冲，减小功率模块的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 直流侧端子 功率模块 驱动端子 减小 金属氧化物半导体场效应管 新型封装结构 交流侧端子 碳化硅 底座 碳化硅MOSFET 电感 二极管 电压过冲 开关瞬态 开关损耗 同一轴线 同轴结构 上表面 有效地 短路 耦合 封装 互感 | ||
【主权项】：
1.一种新型封装结构的功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、所述第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管以及所述二极管封装在所述底座内部；所述第一直流侧端子、所述第二直流侧端子、所述交流侧端子、所述第一驱动端子以及所述第二驱动端子设置在所述底座的上表面；所述第一直流侧端子与所述第二直流侧端子位于同一轴线上；所述第一直流侧端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的漏极连接；所述第二直流侧端子与第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管的源极连接；所述交流侧端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的源极以及第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管的漏极连接；所述第一驱动端子与所述第二驱动端子位于同一轴线上；所述第一驱动端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的栅源极连接；所述第二驱动端子与所述第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管的栅源极连接。
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